乐鱼体育app-总投资200亿元，武汉长飞先进半导体基地项目迎来新进展

据中建一局官微音讯，克日，国际最年夜的SIC功率半导体系体例造基地——武汉长飞进步前辈半导体基地名目乐成实现首榀桁架吊装，标记着名目钢构造施工片面睁开，助力武汉打造天下级化合物半导体财产洼地。

据悉，长飞进步前辈武汉基地名目位于湖北省武汉市，总投资200亿元。此中，一期已经于2023年9月完工，估计往年6月封顶，2025年上半年构成产能。竣工后将成为国际碳化硅产能前线，集产物计划、内涵发展、晶圆制作、封装测试于一体，且全智能化的天下一流碳化硅器件制作标杆工场。建成后估计年产6英寸碳化硅MOSFET乐鱼体育官方网页版APP及晶圆36万片、功率器件模块6100万个，将普遍掩盖新动力汽车、光伏、储能、充电桩、电力电网等范畴。

长飞进步前辈董事长庄丹曾经透露表现，该名目建成后，将增进设置装备摆设、资料、计划、制作、封装、测试等财产链高低游共同努力，吸收天下级碳化硅半导体高端能人来武汉失业守业，助力构成立异活泼、因素完全、凋谢协同的财产生态。

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